集成电路就是采用一定的制造工艺，将晶体管，场效应管，二极管，电阻，电容等许多元件组成的具有完整
功能的电路制作在同一块半导体基片上，然后加以封装所构成的半导体器件。由于它的元件密度高（即集成度高）、
体积小、功能强、功耗低、外部连线及焊点少，从而大大提高了电子设备的可靠性和灵活性，实现了元件、电路与系
统的紧密结合。

集成电路常见的元件是双极型管，即NPN型和PNP型。在制造集成电路时，需将各个元件相互绝缘。利用PN结
反向偏置时电阻很大的特点,把各个元件所在N区或P区四周用PN结包围起来,便可使它们相互绝缘,称这个N区或P区为
隔离岛。在基片上经过氧化、光刻、腐蚀、扩散、外延及氧化等重复过程，即可制造出隔离岛。利用上述的工艺过程
在隔离岛中首先制造出基区，然后制造发射区和集电区，最后制造各极引出窗口，就成为NPN型管。

PNP型管有衬底PNP管和横向PNP管,衬底PNP管以隔离槽为集电极，是纵向管，即载流子从发射区沿纵向向集
电区运动。由于可以准确控制基区的厚度，所以β值较大。但由于隔离槽只能接受在整个电路电位最低端，所以应用
的局限性很大。横向PNP管的载流子从发射区沿水平方向向集电区运动,帮称横向管。由于制造工艺所限，基区较厚，
所以β值较小，仅为2-20倍。但其发射结和集电结耐压较高，因而可利用横向PNP管和纵向NPN管复合而成既有足够大
的电流放大系数又耐压较高的管子,从而构成各方面性能俱佳的放大电路。

与分立元件相比，集成电路中的元件有如下的特点：
             一、具有良好的对称性。由于元件在同一硅片上用相同的工艺制造，所以它们的性能比较一致，而且由于元
件密集使环境温度差别很小，所以同类元件温度对称性也较好。

二、电阻与电容的数值有一定的限制。由于集成电路中电阻和电容要占用硅片的面积，且数值愈大，占用面
积也愈大。因而不易制造大电阻和大电容。因此，电阻阻值范围为几十欧--几千欧，电容容量一般小于100pF。

三、纵向晶体管的β值大，横向晶体管的β值小，但PN结耐压高。

四、用有源元件取代无源元件。由于纵向NPN管占用硅片面积小且性能好,而电阻和电容占用硅片面积大且取
值范围窄,因此,在集成电路的设计中尽量多采用NPN型管,而少用电阻和电容。

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