采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结。PN结
具有单向导电性。物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产一的运动称为扩散运动。

     如果在PN结的两端外加电压,就将破坏原来的平衡状态。此时,扩散电流不再等于漂移电流，因而PN结将有
电流流过。当外加电压极性不同时，PN结表现出不同的导电性能,即呈现出单向导电性。PN结外加电压时处于导
通状态,当电源的负极接到PN结的N端时,称PN结外加正向电压,也称正向接法或正向偏置。此时外电场将多数载
流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱。由于
电源的作用，扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通,PN结导通时的结压降只有零点几伏,
因而应在它所在的回路中串联一个电阻,以限制回路电流,防止PN结因正向电流无穷大而损坏。

     当PN结外加反向电压时处于截止状态,当电源的正极接到PN结的N端,且电源的负极接到PN结的P端时,称PN
结外加反向电压,也称反向接法或反向偏置,此时外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动的进行,
而加剧漂移运动的进行,形成反电流,也称为漂移电流。因为少子的数目极少，即使所有的少子都参与漂移运动，
批向电流也非常小，所以在近似分析中常将它忽略不计，认为PN结外加反向电流时处于截止状态。

     在一定条件下，PN结具有电容效应，根据产生原因不同分为势垒电容和扩散电容。势垒电容是当PN结外加
电压变化时,空间电荷区的宽度将随之变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增大或减小,这种现象与电容器的充
放电过程相同。扩散电容是PN结处于平衡状态时的少子常称为平衡少子。PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区
的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。当外加正向电压一定时,靠近耗尽层交界面的地方非平
衡少子和浓度高,而远离交界面的地方浓度低,且浓度自己高到低逐渐衰弱,直到零。形成一定的浓度梯度,从而形
成扩散电流。当外加正向电压增大时,非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大,从外部看正向电流增大，当外加
正向电压减小时与上述变化相反。

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