为什么有些mos管要用三极管驱动，单片机IO不能直接驱动吗？
MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。
MOS管驱动电路
MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。
NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。以NMOS为例，当Vgs大于最小控制电压阈值时，MOS管会导通，但是其导通内阻无法达到最小设计值，所以想要保证其导通内阻，就要有足够的控制驱动电压。
深圳市丽晶微电子科技有限公司，专注于单片机IC芯片方案开发，定时IC，延时开关芯片，一键开关机IC，灯串IC，太阳能IC芯片方案开发，咨询热线：0755-29100085
