“中国制造2025”对IC制造产业的规划，产能扩充与先进制程的发展是最重要两大
政策目标，其中，在产能扩充上，全大陆晶圆代工月产能规划由2015年70万片12吋晶圆
扩充至2025年100万片，2030年更进一步扩充至150万片。在先进制程发展上，大陆晶圆
代工产业将以2025年14纳米制程导入量产为目标。
中国IC制造产业的发展重点则锁定新型态3D电晶体、下一代显影技术，及超大尺寸
晶圆为发展方向，目标则是希望于2030年大陆IC制造技术能力能与台积电、英特尔、三
星电子等世界级大厂齐平。提升全球市占率与IC设计能力为最主要政策目标，其中，
2030年大陆IC设计产值规划达600亿美元，以于全球市占率提升至35%，大陆主要IC设计
企业将以具备14纳米及其以下先进制程为政策目标。
中国IC设计产业的发展重点则锁定运算核心芯片与存储器为主要目标，其中，中央
政府规划2030年大陆IC设计公司具备PC与服务器应用多核心CPU与移动运算应用超低功
耗多核心CPU等产品的设计能力，在存储器方面，也规划2030年前，大陆存储器相关IC
企业在包括eDRAM（嵌入式DRAM）与3D V-NAND Flash（Vertical NAND Flash）等存储
器具设计与量产能力。
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