触摸台灯电路板电路中MOSFET常见的击穿特征

触摸台灯电路板电路中MOSFET常见的击穿特征

触摸台灯电路板电路中有推动灯串的电流放大电路，这其中起放大作用的元器件，很多都是使

用MOSFET，因其有电流放大倍数较大、功率高、稳定性强等特点。触摸电路板的LED输出与 MOSFET

的响应速度也有一定关系，响应速度快，灯光在转换时平顺，无停顿。

触摸板上面的这个MOSFET有时也会烧坏掉，就是我们常说的击穿，击穿有以下几种特征：

（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生

电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。

（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，被耗尽

层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击

穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流主

要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。

（3）穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强，不会产生大

量电子空穴对。

（4）穿通击穿一般发生在沟道体内，沟道表面不容易发生穿通，这主要是由于沟道注入使表面浓度

比浓度大造成，所以，对NMOS管一般都有防穿通注入。

（5）一般的，鸟嘴边缘的浓度比沟道中间浓度大，所以穿通击穿一般发生在沟道中间。

（6）多晶栅长度对穿通击穿是有影响的，随着栅长度增加，击穿增大。而对雪崩击穿，严格来说也

有影响，但是没有那么显著。

在触摸LED灯线路板电路中应用MOSFET时，各项参数一定要测量确认，例如电压、电流等极限值，

防止过高而引起击穿。