场效应管的工作原理--丽晶微IC芯片

场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半
导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管不但是具备双极型晶体管体积小，重量轻，寿命长等优
点，而且输入回路的内阻很高，噪声低，热稳定性好，搞辐射能力强，且比后者耗电省。场效管分为结型和绝缘
栅型两种不同的结构。

结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型,每种沟道都有三个电极,在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的
P 区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极G,N型半导体的两端分别引出两个电极,一个称为漏极D,一个称
为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极与源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。为使N沟道结型场效应管能
正常工作,应在其栅极和源析之间加负向电压,以保证耗尽层承受负向电压，在漏极和源极之间加正向电压，以形
成漏极电流，既保证了栅极源极之间内阻很高的特点，又实现了对N沟道电流的控制。结型场效应管当栅极-源极
电压为常量时，漏极电流与漏-源电压之间的函数关系。即对应一个栅源电压，就有一条曲线， 这就是场效应管
的输出特性。场效应管有三个工作区域，1.可变电阻区，2.恒流区，3.夹断区。

绝缘栅型场效应管的栅极与源极，栅极与漏极之间均采用氧化硅绝缘层隔离，因此得名。又因栅极G为金属
铝，帮又称为MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，还因为它比结型场效应管温度稳定性好，集成化
时工艺简单，而广泛用于大规模集成电路中。秘结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类,但每一类又分
为增强型和耗尽型两种,因此MOS管的四种类型为:N沟道增强型,N沟道耗尽型,P沟道增强型,P沟道耗尽型。凡栅源
电压为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅-源电压为零时漏析电流不为零的管子均属于耗尽型管。

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