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一. 功率二极管

1.根据制造工艺分：

扩散功率二极管

外延功率二极管

2. 根据特性参数分:

普通整流功率二极管

快恢复二极管

超快恢复二极管

肖特基二极管（SBD）

3.功率二极管的工艺与结构

基本结构：pnn+结构和p+pnn+结构

制作工艺：外延和扩散

外延功率二极管--pnn+（pin）结构

外延功率二极管--pnn+（pin）结构

扩散功率二极管--p+pnn+结构

扩散功率二极管--p+pnn+结构

功率二极管的工作原理

功率二极管的工作原理

1)当 当功率二极管的UAK<0时，p+n结反偏，承担反向电压，功率二极管处于反向阻断状态，此时漏电流很小。当UAK 继续增加，直到大于p+n 结雪崩击穿电压UBD时，功率二极管发生雪崩击穿，此时漏电流急剧增加。

2）当 UAK>0时，p+阳极区向n区注入空穴，n+阴极区向n区注入电子；当n区充满大量的非平衡载流子( △n=△p>>nn0 ) ，即达到大注入时，n区内发生电导调制效应，功率二极管处于正向导通状态，此时通过器件的电流很大，两端的压降很低。

3) 当撤走阳-阴极两端的正向电压, 并同时加上反压(UAK<0)， 器件由导通状态进入反向恢复过程导通状态下存储在n区中的大量的非平衡载流子开始消失。阳-阴极之间的反向电压可加速n区中非平衡载流子的抽取，缩短反向恢复时间。直到n区中的非平衡载流子彻底消失，功率二极管才完全截止。

功率二极管的主要参数

1. I F(AV)：正向平均电流

在规定的结温和散热条件下，允许流过的最大正弦半波电流的平均值。

2. UF：正向压降

指在一定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的管压降。

3.URRM：反向重复峰值电压

所能重复施加的反向最高峰值电压，其雪崩击穿电压UB的2/3。

4. TJM：最高工作结温

在PN结不损坏的前提下，所能承受的最高平均温度(125~175℃)。

5. trr：反向恢复时间

指由导通到关断时，从正向电流过零到反向电流下降到其最大值的1/4时的时间间隔。

6. I FSM：浪涌电流

指功率二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

功率二极管的应用

1 工频应用：整流

2 开速开关应用：开关电源、不间断电源、交流电动机

3 逆变电路：与晶闸管、GTO、GCT和IGBT等器件反并联续流用。

功率二极管的结构、特点及应用比较

功率二极管的结构、特点及应用比较

二、整流桥

简介：整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

整流桥的作用是通过二极管的的单向导通性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电。

三、分立器件芯片

简介：分立元件是与集成电路（俗称说“芯片”）相对而言，就是指普通的电阻、电容、晶体管等电子元件，统称分立元件。所谓的分立元件就是最小的元件，内部没有集成的东西，在换句话就是，没有内部电路。

深圳市丽晶微电子科技有限公司，专注于IC芯片定制，PCBA定制，主要产品是定时IC芯片，单片机开发，化妆镜触摸线路板，触摸电路板，闪灯IC芯片定制 ，语音IC芯片方案开发。