集成电路中的元件--丽晶微定时IC、定时芯片

集成电路就是采用一定的制造工艺，将晶体管、场效应管、二极管、电阻、电容等许多元件组成的具有完整
功能的电路制作在同一块半导体基片上，然后加以封装所构成的半导体器件。由于它的元件密度高、体积小、功
能强、功耗低、外部连线及焊点少，从而大大提高了电子设备的可靠性和灵活性，实现了元件，电路与系统的紧密
结合。

集成电路包含集成双极型管，集成单极型管和无源元件。双极型管包括NPN型管和PNP型管。在制造集成电路时
，需将各个元件相互绝缘，利用PN结反向偏置时电阻很大的特点,把各个元件所在的N区或P区四周用PN结包围起来,
便可使它们相互绝缘,称这个N区或P区为隔离岛。在基片经过氧化、光刻、腐蚀、扩散、外延及氧化等重复过程，
即可制造出隔离岛，它两侧的P区为隔离槽。利用上述的工艺过程在隔离岛首先制造出基区，然后制造发射区和集
电，最后制造各极引出窗口，就成为NPN管。

PNP型管有衬底PNP管和横向PNP管,衬底PNP管以隔离槽为集电极,是纵向管,即载流子从发射区沿纵向集电区运
动。由于可以准确控制基区的厚度，所以β值较大。但由于隔离槽只能接在整个电路电位最低端，所以应用的局限
性很大。横向PNP管的载流子从发射区沿水平方向向集电区运动,故称横向管。由于制造工艺所限，基区较厚，所以
β值很小，仅为2-20倍。但其发射结和集电结耐压较高，因而可利用横向PNP管和纵向PNP管复合而成既有足够大的
电流放大系数又耐压较高的管子,从而构成各方面性能俱佳的放大电路.

集成MOS管的结构与分立元件MOS的结构完全相同。在集成MOS电路中,常采用N沟道MOS管与P沟道MOS管组成的互
补电路。电路功耗小、工作电源电压范围宽、输入电流非常小、连接方便，是目前应用广泛的集成电路之一。集成
电路中各种无源元件的制造不需要特殊工艺，例如用NPN型管的发射结作为二极管和稳压管,用NPN型管基区体电阻
作为电阻,用PN结势垒电容或MOS管栅极与沟道间等效电容作为电容等。

与分立元件相比，集成电路中的元件有如下特点：
《1》具有良好的对称性。由于元件在同一硅片上用相同的工艺制造，所以它们的性能比较一致，而且由于元件密集
使环境温度差别很小，所以同类元件温度对称性也较好。
《2》电阻与电容的数值有一定的限制。由于集成电路中电阻和电容要占用硅片面积，且数值愈大，占用面积也愈大。
因而不易制造大电阻和大电容。因此电阻阻值范围为几十到几千欧，电容容量一般小于100PF。
《3》纵向晶体管的β值大，横向晶体管的β值小，但PN结耐压高。
《4》用有源元件取代无源元件。由于纵向NPN管占用硅片面积小且性能好,而电阻和电容占用硅片面积大且取值范围
窄,因此,在集成电路的设计中尽量多采用NPN型管,而少用电阻和电容。

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