MOSFET的源-漏电流在沟道夹断之后会变得更大

MOSFET是一种常用的电子半导体器件，在电路应用中，当MOSFET的源-漏电流在沟道夹断之后
会变得更大、并且是饱和的，难道与源-漏电压无关吗？MOSFET的沟道夹断是指栅极电压大于阈值
电压、出现了沟道之后，源-漏电压使得沟道在漏极端夹断的一种状态。

实际上，沟道在一端夹断并不等于完全没有沟道。当栅电压小于阈值电压时，则完全没有沟道，
这是不导电的状态——截止状态。而沟道的夹断区由于是耗尽区，增加的源-漏电压也主要是降落
在夹断区，则夹断区中存在很强的电场，只要有载流子到达夹断区的边缘，即可被电场拉过、从漏
极输出，因此夹断区不但不阻止载流子通过，而相反地却能够很好地导电，所以有沟道、并且沟道
在一端夹断的状态，是一种很好的导电状态，则沟道夹断之后的输出源-漏电流最大。

MOSFET的沟道在漏极端夹断以后，由于夹断区基本上是耗尽区，则再进一步增加的源-漏电压，
即将主要是降落在夹断区，这就使得未被夹断的沟道——剩余沟道的长度基本上保持不变；而在沟
道夹断之后的源-漏电流主要是决定于剩余沟道的长度，所以这时的源-漏电流也就基本上不随源-漏
电压而变化—输出电流饱和。MOSFET元器件在数字集成电路应用中较为常见。