为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导？

电路中经常用到MOSFET，作为一种常用的半导体器件，需要了解它的一些特性。MOSFET的饱和区
与线性区都是出现了沟道的状态，但是它们的根本差别就在于沟道是否被夹断。电压对沟道宽度的
影响是：栅极电压将使沟道宽度均匀地发生变化，源-漏电压将使沟道宽度不均匀地发生变化。
在线性区时，由于源-漏电压较低，则整个沟道的宽度从头到尾变化不大，这时栅极电压控制沟道
导电的能力相对地较差一些，于是跨导较小。同时，随着源-漏电压的增大，沟道宽度的变化增大，
使得漏端处的沟道宽度变小，则栅极电压控制沟道导电的能力增强，跨导增大。
而在饱和区时，源-漏电压较高，沟道夹断，即在漏极端处的沟道宽度为0，于是栅极电压控制沟
道导电的能力很强（微小的栅极电压即可控制沟道的导通与截止），所以这时的跨导很大。因此，
饱和区跨导大于线性区跨导。可见，沟道越是接近夹断，栅极的控制能力就越强，则跨导也就越大；
沟道完全夹断后，电流饱和，则跨导达到最大——饱和跨导。